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KCP426SS8/8 - Memória de 8GB SODIMM DDR4 2666Mhz 1,2V 1Rx8 para notebook
Cód: KCP426SS8/8
281
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8GB DDR4 2666MHz SODIMM

Códigos das memórias equivalentes:

HP: 3TQ35AA; 3TQ35AT

Lenovo: 4X70R38790; 4X70W30750

INFORMAÇÕES DO PRODUTO

Tipo:

Memória Proprietária

Fabricante:

Kingston Technology

Categoria:

Memórias

Descrição:

 

 

 

As Memórias KCP da Kingston são projetadas para garantir 100% de compatibilidade com sistemas especificos. Além disso são produzidas somente com componentes da mais alta qualidade e todos os módulos são testados antes de sair da fábrica, o que garante o máximo de desempenho com a reconhecida confiabilidade da Kingston, reforçada pela garantia vitalícia destes produtos.

Descrição Resumida:

A memória  proprietária da Kingston® para notebook é projetada para garantir 100% de compatibilidade com  sistemas específicos.

Destaques:

Compatível com: Acer, Asus, Dell, Fujitsu, HP, Lenovo, NEC, Samsung, Toshiba, outros


DDR4

VDD = 1,2V Típico

VPP = 2,5V Típico

VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V

Terminais nominais e dinâmicos no DIE (ODT) para dados, oscilação e máscara de sinais

Auto atualização de baixa potência (LPASR)

Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados

Geração e calibração VREFDQ no DIE

Single-Rank

EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2

16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada

Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)

BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)

Topologia fly-by

Comando de controle e barramento de endereços

PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)

Em conformidade com RoHS e sem halogênios

Especificações:

CL(IDD) 19 ciclos

Row Cycle Time (tRCmin) 45.75ns (min.)

Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)

Row Active Time (tRASmin) 32ns (min.)

Consumo (operando) TBD W*

UL Rating 94 V - 0

Temperatura de Operação 0oC a +85oC

Temperatura de Armazenamento -55oC a +100oC

*O consumo de energia irá variar de acordo com o uso da memória RAM.



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